図1 SiC-MOSFETの断面構造図(左)とスイッチング動作の解析事例(右)

開発の特長

  1. 独自の高精度SPICEモデル開発でパワーエレクトロニクス機器の回路設計を効率化
    • MOSFET端子に印加される電圧によりMOSFET内部に発生する寄生容量※6が変化する現象を独自の実験手法で詳細に評価し、得られたデータを反映することで実測とほぼ同等のシミュレーションが可能な独自の高精度SPICEモデルを開発
    • 従来のSPICEモデルでは十分に解析できなかった高速スイッチング動作時の電流波形の高精度シミュレーションを実現し、パワーエレクトロニクス機器の回路設計を効率化
    • 電流立ち上がり時の波形シミュレーションの誤差を従来の40%から15%に削減※7
    • ※6

      半導体材料の境界面に発生する電荷を蓄積する容量。 この値が小さいとスイッチング速度が速くなる

    • ※7

      当社従来モデルとの比較

今後の展開

 今後、現在の室温対応のSPICEモデルに、高温対応のパラメータを追加し、社外への提供を目指します。