50Gbps DFBレーザー「ML771AA74T」

新製品の特長

  1. PAM4変調方式の対応と伝送速度50Gbpsの実現で、5Gの高速大容量化に貢献
    • PAM4変調方式※5の動作に適した周波数応答特性を有するDFBレーザーチップを開発
    • 同方式での優れた特性と、業界トップクラスの広い動作保証温度範囲-40℃～+90℃での伝送速度50Gbpsを実現
    • 広い動作保証温度範囲により熱電変換素子※6を不要とし、移動通信システム基地局の低消費電力化に寄与
    • ※5

      4-level pulse-amplitude modulationの略。4値パルス振幅変調。従来の「0」と「1」から成る2値のビット列でなく、4値のパルス信号として伝送する方式

    • ※6

      半導体素子の動作温度を一定に保つための熱と電力を変換する素子

  2. 業界標準TO-56CANパッケージ採用で小型光トランシーバー規格に適合
    • 業界標準のTO-56CAN※7パッケージの採用により、従来製品※8と外形寸法の互換性を確保し、小型光トランシーバー規格（SFP56※9）に適合
    • ※7

      パッケージサイズφ5.6mmの生産性（量産性）に優れた業界標準TO-CANパッケージ

    • ※8

      25Gbps DFBレーザー「ML764AA58T」（生産終了品）

    • ※9

      50Gbps用の小型光トランシーバー規格の一つ

サンプル提供の概要

製品名 形名 発振波長 動作保証温度範囲 サンプル価格 サンプル
提供開始日
50Gbps
DFBレーザー		 ML771AA74T 1310nm -40℃～+90℃ オープン 3月4日