チューナブルレーザーダイオードチップ(イメージ)
チューナブルレーザーダイオードチップの適用例

三菱電機株式会社は、光ファイバー通信用光トランシーバー※1に搭載される光デバイスの新製品として、デジタルコヒーレント通信※2の大容量化と光トランシーバーの小型化に貢献する「チューナブルレーザーダイオード※3チップ」のサンプル提供を10月1日に開始します。


第5世代移動通信システム網の拡大や動画配信サービスの普及によるデータ通信トラフィックの急増に伴い、光ファイバー通信の長距離通信網やデータセンター間の通信網などで、従来の100Gbps※4から400Gbpsへの高速大容量化が求められており、既存の光ファイバーの通信効率を高めるため、デジタルコヒーレント通信方式の適用が拡大しています。一方、高速大容量対応の光トランシーバーを既存の限られたスペースに新たに設置するには、光トランシーバーのさらなる小型化が必要ですが、パッケージで提供されているチューナブルレーザーダイオードでは、光トランシーバーの小型化が難しいという課題がありました。


今回、当社が開発した「チューナブルレーザーダイオードチップ」は、デジタルコヒーレント通信で用いられる1.55μm帯のレーザー光を出力し、400Gbps光トランシーバー標準規格(OIF-400ZR-01.0)に準拠した広い波長帯に対応することで、デジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献します。また、チップでの提供により、お客様の光トランシーバーに最適なパッケージ設計が可能になります。さらに、本製品は、これまで当社が開発してきた移動通信システム基地局向けDFBレーザー※5やデータセンター向けEML※6チップで採用している半導体製造技術を基に設計しており、高い信頼性を有しています。

新製品の特長

  1. 広い波長帯に対応することでデジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献
    • 1~16チャネルの異なる発振波長を持つ16個のDFBレーザーを並列に配置したアレイ構造の採用で、広い波長帯に対応
    • チップの温度制御により、チャネルごとに約2.7nmの波長変更を可能とし、発振波長1527.994~1567.133nmの1.55μm帯レーザー光出力を実現
    • 400Gbps光トランシーバー標準規格(OIF-400ZR-01.0)に準拠したデジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献
  2. チップ提供により、光トランシーバーの小型化に貢献
    • チップで提供することにより、お客様のパッケージ設計における他の光学部品との共通化や部品配置の最適化を可能とし、光トランシーバーの小型化に貢献
レーザー光出力波長可変範囲


  • ※1

    光トランシーバー:電気信号と光信号を相互に変換する電子部品

  • ※2

    コヒーレント通信:光の位相と偏波を用いて情報伝達が可能な通信方式で、大容量化が可能

  • ※3

    チューナブルレーザーダイオード:波長変更が可能なレーザーダイオード

  • ※4

    Gbps(Giga-bit per second):1秒間に10億個のデジタル符号を伝送できる通信速度

  • ※5

    DFB(Distributed Feed-Back)レーザー:分布帰還型半導体レーザー

  • ※6

    EML(Electro-absorption Modulator integrated Laser diode):電界吸収型光変調器集積半導体レーザー