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半導体・デバイス

パワーデバイスのあゆみパワーデバイスのあゆみ

1981年 北伊丹製作所福岡半導体工場で生産を開始
1983年 北伊丹製作所より電力用半導体、パワートランジスタ生産移管
1989年 北伊丹製作所よりパワーデバイス事業移管
1993年 インテリジェントパワーモジュール開発・量産化
1994年 世界最大6インチウエハ使用の光サイリスタ、GTOサイリスタ開発
1996年 HVIPMを北陸新幹線「あさま」用として納入
1997年 DIPIPMの開発・量産化
1997年 ハイブリッド自動車用としてHEV-IPMを開発
1999年 トレンチIGBT搭載Fシリーズの開発・量産化
1999年 第4世代IGBT搭載小型DIPIPMを開発
2000年 1200V耐圧HVICを搭載したASIPM開発・量産化
2000年 4.5kV HVIGBT開発
2000年 世界で初めてSGCTサイリスタ開発
2001年 大電力用途高耐圧3.3kV HVIPM開発
2003年 世界初50アンペア対応の大容量DIPIPM開発
2003年 車載用トランスファーモールド型DIPIPM開発
2004年 DIPIPM Ver.4開発
2006年 DIPIPMで大河内賞を受賞

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