GaN高周波デバイス

GaNの適用で高効率・高出力を可能とし、衛星通信(SATCOM)、移動通信システム基地局などの高速・大容量通信システムの進化に貢献。

特長

高効率・高出力 / 豊富な製品ラインアップ / 情報伝送量の大容量化 / 通信機器の小型化 / 低消費電力化 / 他

セレクションマップ

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★:新製品、★★:開発品
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の助成事業の成果の一部を活用しています。

HEMT:High Electron Mobility Transistor

移動通信システム基地局用 GaN HEMT

5G massive MIMO基地局用GaN電力増幅器モジュール MGFS48G38MB

  • 400MHz帯域で電力付加効率43%以上を実現し、5G※1 massive MIMO※2 基地局の低消費電力化に貢献
  • 電力増幅器のモジュール化により、5G massive MIMO基地局の回路設計負荷軽減、製造コスト削減に貢献
  • ※15G:第5世代移動通信システム
  • ※2MIMO:Multiple Input Multiple Output

製品ラインアップ

衛星通信(SATCOM)地球局用GaN HEMT・MMIC

豊富な製品ラインアップで衛星通信(SATCOM)地球局の多様なニーズに対応

マルチキャリア通信対応 Ku帯 GaN HEMT

  • Low-Ku帯(13GHz帯)で動作可能な、出力電力70W製品(MGFK48G2732A)を新たにラインアップ
  • 400MHz離調周波数の実現(MGFK48G2732A/MGFK45G3745A/MGFK48G3745A)により、情報伝送量の大容量化に貢献
  • 30W/70W/100W品の製品ラインアップにより、多様なニーズに対応し、衛星通信地球局の小型化に貢献

シングルキャリア通信対応 Ku帯 GaN HEMT・MMIC

  • Low-Ku帯(13GHz帯)で動作可能な、出力電力70W製品(MGFK48G2732)を新たにラインアップ
  • 20W/30W/70W/100W品の製品ラインアップにより、多様なニーズに対応し、衛星通信地球局の小型化に貢献
  • リニアライザ機能の内蔵により(MGFG5H1503:20W)、業界トップレベル※となる低ひずみ特性を実現
  • 2016年9月時点

製品ラインアップ

Ku帯GaN HEMT製品ラインアップによる電力増幅器の構成例

増幅器
出力電力
マルチキャリア通信対応 シングルキャリア通信対応
30W MGFK45G3745A MGFK45G3745
70W MGFK45G3745A、MGFK48G3745A MGFK45G3745*、MGFK48G3745 *MGF5H1503も使用可
100W MGFK45G3745A、MGFK50G3745A MGFK45G3745、MGFK50G3745
120W MGFK45G3745A、MGFK48G3745A、MGFK48G3745A MGFK45G3745、MGFK48G3745、MGFK48G3745

注記

  • 低電圧駆動製品をお求めの場合は、GaAs高周波デバイスをご覧ください。
  • ADS/MWOの非線型モデル、信頼性データをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。