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半導体・デバイス

GaN高周波デバイスGaN高周波デバイス

概要

スマートフォンやタブレットなどの携帯端末の急速な普及により、移動通信システム基地局の増設や災害時の通信の確保・地上通信網の整備が地理的に難しい地域での高速通信手段である衛星通信システム(SATCOM)の地球局の設置が求められています。

各システムでは、Siトランジスタを用いた電力増幅器が採用されてきましたが、Siに比べて高効率・高出力が期待できるGaN(Gallium Nitride 窒化ガリウム)をトランジスタに用いたGaN増幅器への置き換えが進められてます。

当社のGaN高周波デバイスは、高効率・高出力と豊富な製品ラインアップで、高速・大容量通信システムの進化に貢献します。

特長

GaNデバイス / 高効率・高出力 / 豊富な製品ラインアップ


セレクトマップ

GaN HEMT / 高出力GaN HEMT

GaN HEMT / 高出力GaN HEMT MGFS37G38L2 MGFK50G3745 MGFK50G3745A★★ MGFK48G3745 MGFK48G3745A★ MGFG5H1503
★:新製品(マルチキャリア対応)、★★:開発品(マルチキャリア対応)
独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託研究の成果の一部を活用しています。

3.5GHz 移動通信システム基地局用 GaN HEMT

移動通信システム基地局用

スモールセル基地局の多様なニーズに対応

特長

3.5GHz 移動通信システム基地局用 GaN HEMT
  • 耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適により、67%という業界トップの高いドレイン効率を実現
  • 高効率化による電力増幅器の小型化・低消費電力化により、通信設備の冷却機能を簡略化でき、基地局の小型化・低消費電力化に寄与

※2015年12月時点

製品ラインアップ

用途 周波数 形名 出力電力 線形利得 電力付加効率 推奨動作電圧 パッケージ
スモールセル基地局 3.4-3.8GHz MGFS37G38L2新しいウィンドウが開きます 5W 37.0dBm 20dB 67% 50V モールド

ドハティ増幅器での測定結果 (5Wx2chip)

ドハティ増幅器
Freq 3.48GHz 3.50GHz 3.52GHz
Psat 33.9dBm 33.9dBm 34.0dBm
Glp 14.3dB 14.1dB 13.5dB
Effd 51.6% 51.3% 52.0%
E-UTRA -50.0dBc -50.0dBc -50.0dBc

衛星通信(SATCOM)地球局用GaN HEMT・MMIC

衛星通信(SATCOM)地球局用

豊富な製品ラインアップで衛星通信(SATCOM)地球局の多様なニーズに対応

マルチキャリア通信対応 Ku帯 GaN HEMT

マルチキャリア通信対応 Ku帯 GaN HEMT
  • 業界トップの400MHz離調周波数の実現(MGFK48G3745A)により、情報伝送量の大容量化に貢献
  • 業界トップの出力電力100Wの実現(MGFK50G3745A)により、衛星通信地球局の小型化に貢献

※2019年12月時点

Ku帯 高出力GaN HEMT・MMIC

Ku帯 高出力GaN HEMT・MMIC
  • ドライバー段から最終段増幅器用途まで対応可能な、GaNデバイス Ku帯20W/70W/100W品をラインアップ
  • リニアライザ機能の内蔵により(MGFG5H1503:20W)、業界トップレベルとなる低ひずみ特性を実現
  • 豊富な製品ラインアップにより、出力電力やレイアウトスペースなど様々なご要求に応じた当社製品でのセットソリューション(多段増幅回路構成)が提案可能。その際、当社製品に最適な周辺回路の提示により、客先での設計期間の大幅な短縮も可能

※2016年9月時点


製品ラインアップ

周波数 形名 出力電力 線形利得 電力付加効率 離調周波数
@IMD3=-25dBc
備考
Ku帯 13.75-14.5 GHz MGFK50G3745新しいウィンドウが開きます 100W 50.0dBm 10dB 30% ~5MHz IMFET
MGFK50G3745A★★新しいウィンドウが開きます 100W 50.0dBm 10dB 30% ~200MHz
MGFK48G3745新しいウィンドウが開きます 70W 48.3dBm 12dB 33% ~5MHz
MGFK48G3745A新しいウィンドウが開きます 70W 48.3dBm 11dB 31% ~400MHz
MGFG5H1503新しいウィンドウが開きます 20W 43.0dBm 24dB 20% ~5MHz MMIC

★:新製品(マルチキャリア対応)、★★:開発品(マルチキャリア対応)

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託研究の成果の一部を活用しています。

注記

  • 低電圧駆動製品をお求めの場合は、GaAs高周波デバイスをご覧ください。
  • ADS/MWOの非線型モデル、信頼性データをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。

データシート

GaN高周波デバイスのデータシートがご覧いただけます。


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