堅固な素材を切り出す電気の刃。
GaNおよびSiCスライス加工の生産性向上に貢献します。

概要

高硬度な炭化ケイ素(SiC)や高脆性な窒化ガリウム(GaN)などの半導体材料を、同時に複数枚のウエハーにスライスできるマルチワイヤ放電スライス技術の開発を行っています。並列する各々のワイヤへの給電部を独立させ、同時に均等なエネルギーを供給し、複数箇所での同時放電加工を実現。ウエハーの生産性向上に貢献します。

マルチワイヤ放電スライス技術

技術ポイント

世界最高※140並列のワイヤ放電加工

ø0.1mmのワイヤ電極線を0.6mm間隔で周回させ、同時に最大40箇所でスライス加工することが可能です。

スライス加工専用電源※2を開発

同時に40箇所の給電部に均一のエネルギーが供給可能な、GaNやSiCのスライス加工専用の高周波電源を開発。ø0.1mmの細いワイヤ電極線でも断線することなく、連続加工が可能です。

マルチワイヤ放電スライス技術

非接触加工でウエハー収量が向上

熱による非接触加工のため、接触式加工に比べて高速かつ狭い切り代でのスライスが可能となります。
これにより、GaNやSiCのインゴットから、より多くのウエハーがとれるため、高価な結晶素材を効率的に活用することができます。

マルチワイヤ放電スライス技術

SiC、GaNの低コスト化に貢献

パワー半導体、通信用デバイス、ダイオードやLED向けに需要拡大し ているSiCやGaNのスライス工程の素材有効活用率と歩留まりはそれぞれ従来工法の20%、40%向上、ランニングコストは80%削減が期待されます。

マルチワイヤ放電スライス技術

※12017年12月15日現在、当社調べ

※2製品は10並列仕様 、並列数増設は現在20並列までオプション対応、40並列は試験機にて加工検証済であり、2022年度以降製品化予定

SDGsへの取組

  • エネルギーをみんなに そしてクリーンに
  • 産業と技術革新の基盤をつくろう

SDGsとは?