SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ

新製品の特長

  1. 高性能SiC-MOSFETを搭載し、電源システムの低消費電力化と小型化に貢献
    • JFETドーピング技術※2を適用した新開発のSiC-MOSFET搭載することで、低オン抵抗と低スイッチング損失を両立し、業界最高水準※3の性能指数（FOM=1450mΩ・nC）※4を実現。従来のSi-IGBT品と比べて電力損失を約85％低減し、電源システムの低消費電力化に貢献
    • 誤動作を誘引する帰還容量※5の低減により、一般的なSiC-MOSFETの課題である誤動作耐量を他社同等品比で約14倍改善※6。高速スイッチング動作が可能となり、スイッチング損失低減に寄与
    • スイッチング損失低減による放熱機器の小型・簡素化や、高キャリア周波数※7駆動によるリアクトルなどの周辺部品の小型化により、システム全体での小型化と低コスト化に貢献
    • ※2

      JFET（Junction Field Effect Transistor）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術

    • ※3

      2020年6月16日時点（当社調べ）

    • ※4

      FOM（Figure of Merit）：パワーMOSFETの性能指標。数値が小さいほど性能が優れる。Tj=100℃時のオン抵抗とゲート・ドレイン間電荷量の積として定義

    • ※5

      MOSFETの構造上存在するゲート・ドレイン間の寄生容量（Crss）

    • ※6

      誤動作（セルフターンオン）耐量をCiss/Crss（入力容量/帰還容量）として算出（当社調べ）

    • ※7

      インバーター回路におけるスイッチング素子のON/OFFタイミングを決める周波数

  2. AEC-Q101準拠3品種を含む計6品種をラインアップし、幅広い用途に対応
    • AEC-Q101※8に準拠した3品種を含む計6品種をラインアップ。車載充電器や太陽光発電などの幅広い電源システムに対応
    • ※8

      Automotive Electronics Council（車載電子部品の品質規格）

お問い合わせ先

三菱電機株式会社　半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部
〒100-8310　東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
TEL 03-3218-3239　FAX 03-3218-2723
URL　http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/