| 試験項目 | 試験条件 | |
|---|---|---|
| 環境試験 | 熱衝撃 | 100℃:5分、0℃:5分、10サイクル |
| 温度サイクル | -40℃(60分)~125℃(60分)、10サイクル | |
| 振動 | 10~500Hz/15分、10G、6時間 | |
| 端子強度(引張り) |
9.8~40N、10±1秒 2.2±0.1N、30秒 |
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| はんだ耐熱性 |
[条件1] 260℃、10+2/-0秒、 又は[条件2] 270℃、7+2/-0秒、 又は[条件3] 350℃、3.5±0.5秒 |
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| はんだ付け性 |
[条件1] 235±5℃、5±0.5秒、 又は[条件2] 245±5℃、5±0.5秒 |
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| 締付強度(締付トルク) |
M8:8.83~10.8N・m、10±1秒 M6:2.94~4.5N・m、10±1秒 M5:1.96~3.5N・m、10±1秒 M4:1.47~1.7N・m、10±1秒 M3:0.98N・m、10±1秒 |
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| 耐久性試験 | 高温保存 | Ta=125℃、1000時間 |
| 低温保存 | Ta=-40℃、1000時間 | |
| 耐湿性 |
[条件1] Ta=60℃、RH=90%、1000時間 又は[条件2] Ta=85℃、RH=85%、1000時間 |
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| 高温逆バイアス | Ta=125℃、VCE=最大定格電圧×0.85 V、VGE=0V、1000時間 | |
| 高温ゲートバイアス | Ta=125℃、VCE=0V、VGE=20V、1000時間 | |
| 断通試験 | △TC=50℃ (△Tj=100℃)、5000サイクル | |
| 機種名 | |
|---|---|
| IGBTモジュール Tシリーズ NXタイプ | |
| IGBTモジュール Tシリーズ LV100タイプ | |
| HVIGBTモジュール Xシリーズ | |
| フルSiC超小型DIPIPM | |
| SLIMDIP | |
| 超小型DIPIPM Ver.7 | |
| 小型DIPIPM Ver.7 | |
| 大型DIPIPM Ver.6 | |
| 大型DIPIPM+ | |
| 車載用IGBTモジュール J1シリーズ |