CH0560C-0750AA / WF0560C-0750AA
750V, 560A, RC-IGBT チップ
状況：開発中 （サンプル提供可）
第3世代RC-IGBT* 技術と 最適構造設計により 低損失・高信頼性デバイスを実現
*RC-IGBT : Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor
特長
- IGBTとFWDを一つのチップ上に形成することにより、従来のIGBTとFWDをそれぞれ配置する場合と比べ、チップ搭載面積を大幅に削減し、システムの小型化に貢献
- 第3世代RC-IGBTでは、キャリア注入効率を抑制するアノード・カソード構造を適用し、FWDのリカバリー損失低減を実現
- オンチップ温度センスダイオードとオンチップ電流センスを搭載
主な用途
- EV・HEV
- 車載充電器
- 充電インフラ
主な仕様
| 項目名 | レベル | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| デバイス | RC-IGBT チップ | ||
| VCES | Max. | 750 | V |
| IC | Max. | 560 | A |
| 供給状態 | 開発中 | ||
| 主用途 | 自動車 |
納入形態
CH560C-0750AA : Chip tray
WF560C-0750AA : Sawn on film
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