WF0009Q-1200AA / CH0009Q-1200AA
1200V, 8.9mΩ, SiC MOSFET チップ
状況：開発中 （サンプル提供可）
トレンチ型SiC-MOSFETプロセス技術と 最適構造設計により 低損失・高信頼性デバイスを実現
特長
- Si パワーデバイスで培った高品質プロセス技術をSiC-MOSFETに適用
- ゲートの酸化膜を保護する Bottom P-Well構造に加え、当社独自構造（SPW※1、 JFETドーピング※2）により、ゲート信頼性を確保しつつ低オン抵抗・低スイッチング損失を実現
- 最適構造設計と高品質プロセス技術により低オン抵抗特性と高信頼性を両立
- 表面電極は、はんだ接合に対応
- ※1：Side P-Well
※2：JFET（Junction Field Effect Transistor）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術
主な用途
- EV・HEV
- 車載充電器
- 充電インフラ
主な仕様
| 項目名 | レベル | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| デバイス | SiC MOSFET チップ | ||
| VDSS | Max. | 1200 | V |
| RDS(ON) | Typ. | 8.9* | mΩ |
| 供給状態 | 開発中 | ||
| 主用途 | 自動車 |
納入形態
WF0009Q-1200AA : Sawn on film
CH0009Q-1200AA : Chip tray
サンプル、データシート、アプリケーションノート につきましては、お問い合わせください。
お問い合わせページへ
ドキュメント
関連情報
SiC Power Devices
三菱電機のSiCパワーデバイスについてご紹介しています
FAQ