WF0060P-1200xx
1200V, 60mΩ, SiC MOSFET チップ
状況：量産準備中 （サンプル提供可） ※形名末尾の"xx"は暫定です。
プレーナ型SiC-MOSFETプロセス技術と 最適構造設計により 低損失・高信頼性デバイスを実現
特長
- Si パワーデバイスで培った高品質プロセス技術をSiC-MOSFETに適用
- 最適構造設計と高品質プロセス技術により低オン抵抗特性と高信頼性を両立
主な用途
- EV・HEV
- 車載充電器
- 充電インフラ
- DC/DCコンバーター
主な仕様
| 項目名 | レベル | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| デバイス | SiC MOSFET チップ | ||
| VDSS | Max. | 1200 | V |
| RDS(ON) | Typ. | 60* | mΩ |
| 供給状態 | 量産準備中 | ||
| 主用途 | 自動車 ・ 産業 |
納入形態
WF0060P-1200xx : Sawn on film
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