ディスクリート
SiC-MOSFET / SiC-SBD
高電圧での電力変換を要する車載充電器や太陽光発電機などのさまざまな電源システムの低消費電力化・小型化に貢献
特長
- 【SiC-MOSFET】 JFETドーピング技術 ※1を適用することで低オン抵抗と低SW損失を両立し、従来品に比べ電力損失を約80%低減 ※2
- 【SiC-SBD】 JBS構造の採用により高サージ耐量を 実現し、高信頼性に寄与
- ※1：JFET（Junction Field Effect Transistor）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術
- ※2：当社製の1200V-IGBTモジュールとの比較
主な用途
- エアコン
- 太陽光発電
- 充電インフラ
- 車載充電器
- スイッチング電源
ラインアップ
SiC-MOSFET
| Grade | Package | VDS(V) | RDSon(mΩ) | ID(A) | Name | Datasheet | SPICE Model (LTspice)* |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Industrial | TO-247-4 | 1200 | 80 | 36 | BM080N120K *1 | ||
| 40 | 66 | BM040N120K *1 | |||||
| 22 | 107 | BM022N120K *1 | |||||
| Automotive | TO-247-4 | 1200 | 80 | 36 | BM080N120KJ *1 | ||
| 40 | 66 | BM040N120KJ *1 | |||||
| 22 | 107 | BM022N120KJ *1 |
SiC-SBD
| Grade | Package | VDS(V) | ID(A) | Name |
|---|---|---|---|---|
| Industrial | TO-247-4 | 600 | 20 | BD20060T |
| BD20060A |
* 1: 開発中止
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LTspiceはAnalog Devices, Incの登録商標です。
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