このページの本文へ

ここから本文


半導体・デバイス

SiC-MOSFETSiC-MOSFET

用途別に適したSiC-MOSFET

用途 形名 定格 パッケージ 設計サポート
電圧 オン抵抗 電流
家電

産業
BM080N120S★★ 1200V 80mΩ 38A TO-247-3 データシート*
SPICEモデル*
BM080N120K★★ TO-247-4 データシート*
SPICEモデル*
BM040N120S★★ 40mΩ 68A TO-247-3 データシート*
SPICEモデル*
BM040N120K★★ TO-247-4 データシート*
SPICEモデル*
BM022N120S★★ 22mΩ 95A TO-247-3 データシート*
SPICEモデル*
BM022N120K★★ TO-247-4 データシート*
SPICEモデル*
車載 BM080N120SJ★★ 1200V 80mΩ 38A TO-247-3 データシート*
SPICEモデル*
BM080N120KJ★★ TO-247-4 データシート*
SPICEモデル*
BM040N120SJ★★ 40mΩ 68A TO-247-3 データシート*
SPICEモデル*
BM040N120KJ★★ TO-247-4 データシート*
SPICEモデル*
BM022N120SJ★★ 22mΩ 95A TO-247-3 データシート*
SPICEモデル*
BM022N120KJ★★ TO-247-4 データシート*
SPICEモデル*

★★:開発中 *:準備中

優れた特性を持つSiC

SiC with superior characteristics

電力損失の低減

SiCはシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍高いことから、電気抵抗の主要因となるドリフト層が10分の1に薄くなることで抵抗値が大幅に低減され、電力損失を大きく減らすことが可能となります。このことにより、パワーデバイスの導通損失およびスイッチング損失が大幅に低減します。

SiC with superior characteristics

高温度動作

従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約3倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。

SiC with superior characteristics

高速スイッチング動作

SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD(Schottky Barrier Diode)を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。

SiC with superior characteristics

高い放熱効果

SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約3倍となるため、放熱性が向上します。

主な用途

エアコン、太陽光発電、充電インフラ、車載充電器などの電源システム

特長

SiC-MOSFET
  • JFETドーピング技術※1を適用することで低オン抵抗と低SW損失を両立し、従来品に比べ電力損失を約80%低減※2
  • 電力損失の低減や高周波動作により、リアクトルやヒートシンクなどの小型化が可能
  • ※1
    JFET(Junction Field Effect Transistor)領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術
  • ※2
    当社製の1200V-IGBTモジュールとの比較

内部ブロック図

内部ブロック図

電力損失比較

電力損失比較

印刷用ページへ