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半導体・デバイス

SiC-MOSFET

用途別に適したSiC-MOSFET

用途	形名	定格			パッケージ	設計サポート
用途	形名	電圧	オン抵抗	電流	パッケージ	設計サポート
家電・産業	BM080N120S^★★	1200V	80mΩ	38A	TO-247-3	データシート^*
	BM080N120S^★★				TO-247-3	SPICEモデル^*
	BM080N120K^★★				TO-247-4	データシート^*
	BM080N120K^★★				TO-247-4	SPICEモデル^*
	BM040N120S^★★		40mΩ	68A	TO-247-3	データシート^*
	BM040N120S^★★				TO-247-3	SPICEモデル^*
	BM040N120K^★★				TO-247-4	データシート^*
	BM040N120K^★★				TO-247-4	SPICEモデル^*
	BM022N120S^★★		22mΩ	95A	TO-247-3	データシート^*
	BM022N120S^★★				TO-247-3	SPICEモデル^*
	BM022N120K^★★				TO-247-4	データシート^*
	BM022N120K^★★				TO-247-4	SPICEモデル^*
車載	BM080N120SJ^★★	1200V	80mΩ	38A	TO-247-3	データシート^*
	BM080N120SJ^★★				TO-247-3	SPICEモデル^*
	BM080N120KJ^★★				TO-247-4	データシート^*
	BM080N120KJ^★★				TO-247-4	SPICEモデル^*
	BM040N120SJ^★★		40mΩ	68A	TO-247-3	データシート^*
	BM040N120SJ^★★				TO-247-3	SPICEモデル^*
	BM040N120KJ^★★				TO-247-4	データシート^*
	BM040N120KJ^★★				TO-247-4	SPICEモデル^*
	BM022N120SJ^★★		22mΩ	95A	TO-247-3	データシート^*
	BM022N120SJ^★★				TO-247-3	SPICEモデル^*
	BM022N120KJ^★★				TO-247-4	データシート^*
	BM022N120KJ^★★				TO-247-4	SPICEモデル^*

★★：開発中 *：準備中

優れた特性を持つSiC

SiC with superior characteristics

電力損失の低減

SiCはシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍高いことから、電気抵抗の主要因となるドリフト層が10分の１に薄くなることで抵抗値が大幅に低減され、電力損失を大きく減らすことが可能となります。このことにより、パワーデバイスの導通損失およびスイッチング損失が大幅に低減します。

SiC with superior characteristics

高温度動作

従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約３倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。

SiC with superior characteristics

高速スイッチング動作

SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD（Schottky Barrier Diode）を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。

SiC with superior characteristics

高い放熱効果

SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約３倍となるため、放熱性が向上します。

エアコン、太陽光発電、充電インフラ、車載充電器などの電源システム

SiC-MOSFET

JFETドーピング技術^※1を適用することで低オン抵抗と低SW損失を両立し、従来品に比べ電力損失を約80%低減^※2
電力損失の低減や高周波動作により、リアクトルやヒートシンクなどの小型化が可能

※1
JFET（Junction Field Effect Transistor）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術
※2
当社製の1200V-IGBTモジュールとの比較

内部ブロック図

内部ブロック図

電力損失比較

電力損失比較

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