エアコン、太陽光発電、充電インフラ、車載充電器などの電源システム
SiC-MOSFET
用途別に適したSiC-MOSFET
用途 | 形名 | 定格 | パッケージ | 設計サポート | ||
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電圧 | オン抵抗 | 電流 | ||||
家電 ・ 産業 |
BM080N120K★★ | 1200V | 80mΩ | 38A | TO-247-4 | データシート* |
SPICEモデル* | ||||||
BM040N120K★★ | 40mΩ | 68A | TO-247-4 | データシート* | ||
SPICEモデル* | ||||||
BM022N120K★★ | 22mΩ | 95A | TO-247-4 | データシート* | ||
SPICEモデル* | ||||||
車載 | BM080N120KJ★★ | 1200V | 80mΩ | 38A | TO-247-4 | データシート* |
SPICEモデル* | ||||||
BM040N120KJ★★ | 40mΩ | 68A | TO-247-4 | データシート* | ||
SPICEモデル* | ||||||
BM022N120KJ★★ | 22mΩ | 95A | TO-247-4 | データシート* | ||
SPICEモデル* |
★★:開発中 *:準備中
優れた特性を持つSiC
電力損失の低減
SiCはシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍高いことから、電気抵抗の主要因となるドリフト層が10分の1に薄くなることで抵抗値が大幅に低減され、電力損失を大きく減らすことが可能となります。このことにより、パワーデバイスの導通損失およびスイッチング損失が大幅に低減します。
高温度動作
従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約3倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。
高速スイッチング動作
SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD(Schottky Barrier Diode)を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。
高い放熱効果
SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約3倍となるため、放熱性が向上します。
主な用途
特長

- JFETドーピング技術※1を適用することで低オン抵抗と低SW損失を両立し、従来品に比べ電力損失を約80%低減※2
- 電力損失の低減や高周波動作により、リアクトルやヒートシンクなどの小型化が可能
- ※1JFET(Junction Field Effect Transistor)領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術
- ※2当社製の1200V-IGBTモジュールとの比較
内部ブロック図

電力損失比較
