エアコン、太陽光発電、充電インフラなどの電源システム
SiC-SBD
用途別に適したSiC-SBD
用途 | 形名 | 定格電圧 | 定格電流 | パッケージ | 設計サポート |
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家電 ・ 産業 |
BD20060T | 600V | 20A | TO-220FP-2 | データシート* |
SPICEモデル* | |||||
BD20060A | TO-263-2 | データシート* | |||
SPICEモデル* |
*:準備中
優れた特性を持つSiC
JBS構造による高信頼性
pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS構造を採用したことにより高サージ耐量を実現しています。低損失で高信頼性のSBDによって、電源システムの低消費電力化・小型化に貢献します。
JBS : Junction Barrier Shottky
高温度動作
従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約3倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。
高速スイッチング動作
SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD(Schottky Barrier Diode)を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。
高い放熱効果
SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約3倍となるため、放熱性が向上します。
主な用途
特長

- 従来品に比べ電力損失を約21%低減※
- 電力損失の低減や高周波動作により、リアクトルやヒートシンクなどの小型化が可能
- JBS構造の採用により高サージ耐量を 実現し、高信頼性に寄与
- ※当社製のパワー半導体モジュールDIPPFC™に搭載されたSiダイオードと比較
内部ブロック図

電力損失比較※

- ※当社製のパワー半導体モジュールDIPPFC™に搭載されたSiダイオードと比較