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GX実現へ向けSiCパワー半導体デバイス事業拡大へ
パワー半導体デバイスは、カーボンニュートラルと社会変革を見据えたGX（グリーントランスフォーメーション）への挑戦に向けたキーデバイスの1つです。
シリコン（Si）と炭素（C）を1:1で結合した化合物半導体SiC（シリコンカーバイド）を用いたSiCパワー半導体デバイスは、従来のシリコンを用いたパワー半導体デバイスに比べて電力損失の大幅な低減化、高温動作や高速スイッチング動作が可能となるため、エアコンなどの家電、産業機器、鉄道車両、自動車などのさまざまなパワーエレクトロニクス機器の省エネルギー化への貢献が期待されており、電気自動車への搭載で市場の急拡大が見込まれています。
さらには、次世代の半導体ウエハ材料として、酸化ガリウム（Ga2O3）を用いたパワー半導体デバイスへの期待も高まっております。
三菱電機は、パワー半導体デバイス事業拡大を目指し、様々な投資や最先端のパワー半導体デバイスの研究開発や製品化により、GX実現に向け挑戦して参ります。
2023年3月14日広報
SiCパワー半導体の生産体制強化に向け新工場棟を建設
2023年10月10日広報
米国CoherentのSiC事業会社へ出資
Coherent Corp.（コヒレント株式会社、本社：米国ペンシルベニア州サクソンバーグ、以下 Coherent）がSiC事業を分社化して設立する新会社へ5億米ドル（約750億円*）を出資することについて、Coherentと合意しました。
当社はSiC基板サプライヤーであるCoherentとの垂直連携を強化し、パートナーシップをさらに強固なものとすることで、急成長が見込まれるSiCパワー半導体デバイス市場において、SiC基板の一層の調達安定化を図り、高性能で信頼性の高い製品を安定供給して事業を拡大します。
*：1米ドル = 149.6円で算出（2023年9月末TTMレート）
2023年5月26日広報
米国のCoherent と 8 インチ SiC 基板共同開発について基本合意書を締結
Coherent Corp.（コヒレント株式会社、本社：米国ペンシルベニア州サクソンバーグ、以下 Coherent）とパワーエレクトロニクス市場向け 8 インチ SiC 基板の共同開発について基本合意書を締結しました。
三菱電機は今回の基本合意に基づき、2023年3月14日に広報発表いたしました熊本県泗水地区での新工場棟で生産する SiC パワー半導体デバイスに使用する高品質な 8 インチ SiC 基板を Coherent と共同開発することで、パートナーシップを強固なものとし、SiC パワー半導体デバイスの安定供給を目指します。
2023年11月13日広報
Nexperia B.V.とSiCパワー半導体共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意
Nexperia B.V.（以下Nexperia）とパワーエレクトロニクス市場向けSiCパワー半導体の共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意しました。
三菱電機は、自社の強みである化合物半導体技術などを適用したSiC-MOSFETチップをNexperia向けに開発・供給します。Nexperiaは、当社SiCチップを搭載したSiCディスクリート製品を開発します。
2023年7月28日広報
酸化ガリウムパワー半導体開発に向けてノベルクリスタルテクノロジー社に出資
次世代パワー半導体ウエハの一つとして注目される酸化ガリウムウエハ を開発・製造・販売する株式会社ノベルクリスタルテクノロジーへ出資しました。当社は今後、酸化ガリウムパワー半導体の研究開発を加速し、 省エネ性に優れたパワー半導体を社会に広く普及させることで、脱炭素社会の実現に貢献します。
2023年8月29日広報
パワーデバイス製作所 福山工場に12インチSiウエハ対応生産ラインを設置完了
パワー半導体の製造（ウエハプロセス工程）を行うパワーデバイス製作所 福山工場に、三菱電機として初となる12インチSi（シリコン、ケイ素）ウエハ対応生産ラインの設置を完了しました。また、この生産ラインで製造したウエハを用いたパワー半導体チップを試作・評価した結果、設計どおりの性能が得られたことを確認しました。
三菱電機は、Siパワー半導体のウエハプロセス工程における生産能力を2025年度に2020年度比で約2倍に増強するため、福山工場の12インチSiウエハ対応生産ラインを公表どおり2024年度から量産移行する予定です。
