定格電圧２kV超のシリコンカーバイド（SiC）パワーモジュールは，再生可能エネルギー用途を対象としており，SiCMOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor）を採用することで高い出力電力を追求している。高出力化を実現するためには，チップの発熱を抑制する必要があり，放熱性を向上させた最適な構造を確立した。さらに，多並列に搭載されたチップ間の電流は，回路パターンの最適化によって均流化され，SiCパワーモジュールで一般的に観測される発振を抑制しつつ，高速スイッチング性能を維持できた。その結果，２レベルトポロジーで当該２kV超SiCパワーモジュールを４kHzでスイッチング動作させ，同フットプリントの第７世代２kVシリコン（Si）パワーモジュールよりも２倍以上の出力を実現した。

三菱電機は，家庭用電化製品向けパワー半導体モジュール“SLIMDIP”シリーズに，初めてSiC（シリコンカーバイド）技術を採用した“フルSiC SLIMDIP”と“ハイブリッドSiC SLIMDIP”を開発した（製品定格はどちらも15A／600V）（図１）。SiC－MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスター）を搭載したこの製品は，従来のSi（シリコン）RC－IGBT（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor：IGBTとダイオードを１チップ化したもの）を搭載した製品と比べて電力損失を大幅に低減し，インバーターの省エネルギー性能を飛躍的に向上させる。また，既存製品と同一基板で置換可能な設計を採用しており，導入障壁を低く抑えつつ短期間での普及を促進する。当社はこの製品の開発を通じて，空調などの電力消費量の削減，ピーク電力の抑制，及び温室効果ガス排出削減に先導的に寄与し，社会全体の脱炭素化と電力インフラ負荷軽減に貢献する^{（1）（2）}。

電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（xEV）の駆動モーター用のインバーター向けに，標準仕様のパワー半導体チップを開発中である。三菱電機独自の構造や製造工程を用いたSiC（シリコンカーバイド）－MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor）チップで，xEV用インバーターの性能向上を図って，航続距離の延伸や電費の改善に貢献し，脱炭素社会の実現を推進する。

三菱電機は，環境，ヘルスケア，産業分野での課題解決のため，半導体をベースとした高感度・高性能なセンサーデバイスを開発している。開発例としては，環境分野向けデバイスではグラフェン光センサー，ヘルスケア分野向けデバイスでは非侵襲血糖値センサー，産業分野向けデバイスではMEMS（Micro Electro Mechanical Systems）型3D超音波センサー及び静電容量センサーが挙げられる。