光ファイバー通信用光デバイス

大規模データセンター、家庭用光ファイバー通信(FTTH)や5Gなどの移動通信システム基地局等の各種通信機器への搭載で、光ファイバー通信の高速・大容量化を実現でデジタルトランスフォーメーション(DX)の実現に貢献。

特長

高速な伝送速度 / 大容量 / 光トランシーバーの小型化・低消費電力化

主な用途

大規模データセンター / 家庭用光ファイバー通信(FTTH)/ 移動通信システム基地局 / 他

新製品情報

光ファイバー通信用チューナブルレーザダイオードチップ ML9CP61

  • 広い波長帯に対応することで400Gbps光トランシーバー標準規格(OIF-400ZR-01.0)に準拠し、デジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献
  • チップ提供により、光トランシーバーの小型化に貢献

第5世代移動通信システム基地局向け50Gbps DFBレーザー ML771AA74T

  • PAM4変調方式の対応と業界トップクラスの広い動作保証温度範囲-40℃~+90℃で、伝送速度50Gbpsを実現し、5Gの高速大容量化に貢献
  • 業界標準TO-56CANパッケージ採用で小型光トランシーバー規格に適合
  • 2022年3月1日時点、当社調べ

データセンター向け広動作温度範囲 CWDM 100Gbps(53Gbaud PAM4)EMLチップ ML7CP70

  • 独自のハイブリッド導波路構造(図1)により、広動作温度範囲(5℃~85℃)で53Gbaud PAM4の高速動作(図2)を実現
  • 広動作温度範囲により、データセンターに使用する光トランシーバーの低消費電力化と低コスト化に貢献
  • 図1:広動作温度範囲CWDM 100Gbps(53Gbaud PAM4) EMLチップ構造(イメージ)
  • 図2:53Gbaud PAM4波形(back to back, Vpp=1.0V)

2.5Gbps以下 光通信用デバイス

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10Gbps以上 光通信用デバイス

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