パワーデバイス > 製品情報 > パワーモジュール > IGBT-MODULE-LV100
IGBTモジュール　LV100タイプ

第7世代IGBT搭載 Tシリーズ
第8世代IGBT搭載 Mシリーズ

あらゆる産業機器のインバーター化に必須なデバイスであるIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきました。またチップ構造を平面プレーナー構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT™（キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT）により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきました。T/T1シリーズは従来Sシリーズ（第6世代IGBT）から電力損失を低減し、小型化しております。さらに従来外形のスタンダード（std）タイプに、NXタイプとLV100タイプを追加しました。Mシリーズは従来T/T1シリーズ（第7世代IGBT）から、さらに電力損失を低減しています。

Previous Next

特長

  • CSTBT™※1構造を採用した第7世代IGBTとRFC※2構造を採用したダイオードの搭載により電力損失を低減し、産業用機器の低消費電力化に貢献
  • 新構造によりはんだ付け部分を削減し、サーマルサイクル寿命が向上することにより産業用機器の信頼性向上に貢献
  • 標準パッケージで、マルチソースに対応
  • 低インダクタンスPKG採用により使いやすさ向上
  • 低スイッチング損失で1～5kHzの用途に最適
  • 絶縁耐圧 4kV
  • 第８世代IGBTには、SDA※3ゲート構造、チップの薄厚化とCPL構造※4により、大電流、低電力損失を実現
  • 第８世代IGBTは、逆回復dv/dtおよびターンオンスイッチング損失（Eon）を低減
  • ※1：キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
  • ※2：Relaxed Field of cathode
  • ※3：Split Dummy Active
  • ※4：Controlling carrier Plasma Layer

主な用途

  • モーションコントロール
  • 再生可能エネルギー
  • 電源・UPS
  • 蓄電池PCS

第８世代IGBT構造

スイッチング特性

低インダクタンス構造

ラインアップ

Tシリーズ
IC (A)回路構成VCES=1200VVCES=1700VVCES=2000V
形名データシート形名データシート形名データシート
800--
1200
1800----
外形写真

ドキュメント

関連製品

IGBTモジュール stdタイプ

2in1の回路構成で3種類のパッケージをラインアップ。

IGBTモジュール NXタイプ

2in1、6in1、7in1、CIBと幅広い回路構成をラインアップ。また、プレスフィットピンパッケージも選択可能。

関連情報

損失シミュレーター

パワーモジュールの損失・温度上昇を簡易的に計算するシミュレーターです。

FAQ

よくある質問に対する回答を掲載しています。