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MOSFETモジュール

高速スイッチングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）は、低電流、低耐圧の領域にて実績があります。サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナー型に比べて格段に低オン抵抗（ドレイン・ソース間でドレイン電流が流れる領域での抵抗値）化を実現しました。

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特長

  • トレンチゲート構造MOSFETを搭載
  • ゲート・ソース信号配線にコネクタ端子を採用
  • 温度センサー内蔵

主な用途

  • バッテリーフォークリフト
  • UPS

ラインアップ

MOSFEモジュール
ID (A)回路構成形名
VDSS=75VVDSS=100VVDSS=150V
100
6in1
200
6in1
300
6in1
外形写真

ドキュメント

関連情報

損失シミュレーター

パワーモジュールの損失・温度上昇を簡易的に計算するシミュレーターです。

FAQ

よくある質問に対する回答を掲載しています。