フル/ハイブリッドSiCパワーモジュール
フルSiC IPM

電力変換システムの省エネルギー及び小型化が重要性を増す中、優れた材料特性をもつSiCは今後さらなる展開が期待できる半導体材料であり、当社においても2013年から第1世代となるSiCモジュールを量産しております。産業用機器のさらなる高効率化、小型・軽量化に貢献する為、現在では第2世代SiCモジュールとしてフルSiCパワーモジュール(短絡制御回路内蔵品有り)、ハイブリッドSiCパワーモジュール、フルSiC-IPM各種ラインアップしております。

特長

  • 低損失特性と高キャリア周波数駆動により、機器の高効率化、小型・軽量化に貢献
  • RTC 回路搭載により、短絡耐量と低オン抵抗特性を両立
  • 内部チップの配置最適化により、放熱性が向上

主な用途

  • モーションコントロール
  • 再生可能エネルギー
  • 電源・UPS

素子構成について

電力損失比較

ラインアップ

フルSiCパワーモジュール
定格電圧 (V)定格電流 (A)結線形名外形サイズ (mm)外形写真
1200400
92.3 × 121.7
80 × 110
62 × 108
600
62 × 121.7
800
92.3 × 121.7
1700600
62 × 121.7
短絡制限回路内蔵フルSiCパワーモジュール
定格電圧 (V)定格電流 (A)結線形名外形サイズ (mm)外形写真
1200300
79.6 × 122
400
600
79.6 × 122
800
1200
152 × 122
1700300
79.6 × 122
ハイブリッドSiCパワーモジュール
定格電圧 (V)定格電流 (A)結線形名外形サイズ (mm)外形写真
1200100
48 ×94
150
200
62 × 108
300
400
80 × 110
600
400
62 × 108
フルSiC-IPM
定格電圧 (V)定格電流 (A)結線形名外形サイズ (mm)外形写真
120075
50 × 90

ドキュメント

関連情報

損失シミュレーター

パワーモジュールの損失・温度上昇を簡易的に計算するシミュレーターです。

FAQ

よくある質問に対する回答を掲載しています。