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レクチャーシリーズ

未来のパワーエレクトロニクスを切り開く、三菱電機のSiCの歴史と技術を体系的に学ぶ

三菱電機は長年にわたりSiC(炭化ケイ素)のパワーデバイスの開発と応用に取り組んできました。次世代の電力変換技術を支えるSiC 素子の基本や製造プロセス、信頼性などを技術者、研究者、学生の皆様に向けて体系的に解説する"SiCレクチャーシリーズ"を公開しています。このシリーズはたんなる製品紹介ではなく、物性、構造、設計、熱特性や信頼性などテーマごとに豊富な実績と知見をもとに構成しています。理論と実践をつなぐ懸け橋として、ご活用ください。

1回目

三菱電機パワーデバイスの歴史

2回目

三菱電機におけるSiCパワーデバイス研究開発の歴史

3回目

SiCの結晶構造とエネルギーバンド

4回目

SiCの物理的性質

5回目

SiCの結晶欠陥

6回目

SiCバルク単結晶の成長技術

7回目

SiC結晶のウエハ化プロセス技術

8回目

SiCエピタキシャル成長技術

9回目 new

SiCプロセス技術(1)イオン注入

10回目 new

SiCプロセス技術(2)ゲート絶縁膜

11回目