チップ
SiC-MOSFET / RC-IGBT チップ
プレーナ型とトレンチ型のSiC MOSFET技術、第3世代RC-IGBT* 技術 を保有しており、
最適構造による低損失・高信頼性デバイスを実現
*RC-IGBT : Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor
特長
- SiC-MOSFET
- SiC-MOSFETにより、従来のSi-IGBTと比較して低損失、高周波動作が可能となり、システムの小型化に貢献
- シリコンパワーデバイスで培った高品質プロセス技術をSiC-MOSFETに適用
- ゲートの酸化膜を保護する Bottom P-Well 構造に加え、当社独自構造（SPW※1、 JFETドーピング※2）により、ゲート信頼性を確保しつつ低オン抵抗・低スイッチング損失を実現
- ※1：トレンチデバイスにおける Side P-Well
- ※2：JFET（Junction Field Effect Transistor）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術
- RC-IGBT
- IGBTとFWDを一つのチップ上に形成することにより、従来のIGBTとFWDをそれぞれ配置する場合と比べ、チップ搭載面積を大幅に削減し、システムの小型化に貢献
- 第3世代RC-IGBTで は、キャリア注入効率を抑制するアノード・カソード構造を適用し、FWDのリカバリー損失低減を実現
- オンチップ温度センスダイオードとオンチップ電流センスを搭載
主な用途
- EV / HEV
- 車載充電器
- 充電インフラ
ラインアップ
SiC-MOSFET
| 形名 | 構造 | VDS [V] | RDS(on)typ. [mΩ]* | 用途 | ステータス |
|---|---|---|---|---|---|
| トレンチ | 1200 | 9.0 | 自動車 | 開発中 | |
| トレンチ | 750 | 7.8 | 自動車 | 開発中 |
* Tj=25℃
RC-IGBT
| 形名 | 構造 | VCE [V] | IC [A] | 用途 | ステータス |
|---|---|---|---|---|---|
| トレンチ | 750 | 400 | 自動車 | 開発中 | |
| トレンチ | 750 | 560 | 自動車 | 開発中 |
納入形態
CHxxxx-xxxxxx : Chip tray
WFxxxx-xxxxxx : Sawn on film
サンプル、データシート、アプリケーションノート につきましては、お問い合わせください。
お問い合わせページへ
ドキュメント
関連情報
SiCパワーデバイス
三菱電機のSiCパワーデバイスについて紹介しています
FAQ