フルSiC SLIMDIP/ハイブリッドSiC SLIMDIP
小型化を追及したSLIMDIPパッケージにSiC MOSFETを搭載
SLIMDIPシリーズ 初のSiC MOSFET搭載製品で高出力化と電力損失の大幅低減を実現、家電の省エネ化に貢献します。
特長
- 端子配列を最適化したSLIMDIPパッケージにSiC MOSFETを搭載。
- 従来の超小型DIPIPMシリーズに比べ外形サイズを約30%低減。
- 端子配列や保護機能、最大ケース温度等はSiチップを搭載したSLIMDIPシリーズと同等。
- フルSiC構成により、現行Si品と比較して電力損失を大幅に低減、家電の低消費電力化に大きく貢献（フルSiC SLIMDIP）。
- SiC MOSFETとRC-IGBT※1を1パッケージに搭載し、それらを並列駆動を可能にした独自の駆動ICを搭載（ハイブリッドSiC SLIMDIP。
- ※1：Reverse Conducting IGBT
DIPIPM、SOPIPM、SLIMDIP、DIPIPM+、DIPPFC、CSTBTは三菱電機株式会社の商標です
主な用途
- エアコン
- 洗濯機・洗濯乾燥機
- ファン
- 小容量インバーター
- 小容量サーボ
- ポンプ
ラインアップ
VCES / VDSS = 600V
| 構成 | IC/ID [A] | 形名 |
|---|---|---|
| フルSiC SLIMDIP | 15 | |
| ハイブリッドSiC SLIMDIP | 15 |
Featured Products
内部構造について
フルSiC SLIMDIPはフルSiC構成、ハイブリッドSiC SLIMDIPはSiC MOSFETとRC-IGBTの並列構成をそれぞれ採用。
-
SLIMDIP (SLIMDIP-Lなど)
-
ハイブリッドSiC SLIMDIP
-
フルSiC SLIMDIP
SiC SLIMDIP採用による損失低減 (従来製品との比率)
SiC MOSFETを搭載したことで、従来のSiを搭載した製品と比較し、大幅な損失低減を実現。民生機器の省エネに大きく貢献。
-
Io = 1.5Arms
-
Io = 4Arms
損失試算条件：三相変調, VCC/VDD = 300V, fC = 5kHz, fO = 60Hz, P.F.=0.8, Modulation=1, Tj=125℃ data
アプリケーションノート一覧
関連製品
フルSiC超小型DIPIPM
VDSS = 600V
ID = 15A～25A
SLIMDIP
VCES = 600V
ID = 5A～600A
関連情報
損失シミュレーター
パワーモジュールの損失・温度上昇を簡易的に計算するシミュレーターです。
FAQ
よくある質問に対する回答を掲載しています。
評価基板