J3 シリーズ
自動車用 SiC / Si パワーモジュール
小型なサイズと豊富な製品ラインアップで多様なxEVへの対応や航続距離の延伸・電費改善に貢献します。
xEV用インバーターの小型化が可能になり、J3-T-PM※1 、J3-HEXA-S、J3-HEXA-L のラインアップにより、幅広い電気容量帯のインバーター設計に対応します。
※1：Transfer molded Power Module：トランスファーモールド型パワー半導体モジュール
特長
- J3-T-PM は、従来品比約 40％のモジュールサイズを実現※2 し、xEV 用インバーターの小型化に貢献
- 半導体素子として SiC-MOSFET と RC-IGBT（Si）の 2 種類をラインアップ
- SiC-MOSFET では、低損失なトレンチ型を採用
- RC-IGBT（Si）では、IGBT と FWD（フリーホイールダイオード）を 1 チップに搭載した新構造を採用
- J3-T-PM の組み合わせによる豊富な製品ラインアップ※3 で、多様な xEV 用インバーター設計に対応
- ※2：トランスファーモールド型パワー半導体モジュールの 2in1 タイプである「CT300DJH120」との比較
- ※3：J3-T-PM および J3-T-PMを 3 個搭載した J3-HEXA-S と、J3-T-PM を 6 個搭載した J3-HEXA-L
主な用途
- EV・HEV
- 高信頼性用途
ラインアップ
| タイプ | 構成 | 半導体素子 | VDSS / VCES (V) | ID / IC (A) | 形名 | ステータス |
|---|---|---|---|---|---|---|
| J3-T-PM | 2in1 | SiC MOSFET | 1300 | 350 | 開発中 | |
| Si RC-IGBT | 750 | 400 | 開発中 | |||
| J3-HEXA-S |
6in1 with Pin-Fin Base |
SiC MOSFET | 1300 | 350 | 開発中 | |
| Si RC-IGBT | 750 | 400 | 開発中 | |||
| J3-HEXA-L |
6in1 with Pin-Fin Base |
SiC MOSFET | 1300 | 700 | 開発中 | |
| Si RC-IGBT | 750 | 800 | 開発中 |
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