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「グリーンボンド」の発行条件を決定環境貢献使途に限定した資金調達を通じて、サステナビリティ経営を一層加速
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世界初、AI デジタル制御機能を備えたポスト 5G 向け基地局用 GaN 増幅器を開発―高品質データの大量送信と基地局シェアリングの実現に貢献―
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- セミコンダクター・デバイス
Nexperia B.V.とSiCパワー半導体共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意SiCパワーモジュールで蓄積した技術を適用したSiCチップを開発しNexperiaに供給
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三菱電機として初めて「グリーンボンド」を発行SiCパワー半導体の生産能力増強により脱炭素社会の実現に貢献
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- セミコンダクター・デバイス
三菱電機がプロジェクトリーダーとして参加したIEC白書が発行カーボンニュートラル実現に重要なパワー半導体分野の国際標準化を主導
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- セミコンダクター・デバイス
米国CoherentのSiC事業会社へ出資SiCパワーデバイス事業における垂直連携を強化し、成長戦略の実行を加速
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- セミコンダクター・デバイス
「5G massive MIMO基地局用GaN電力増幅器モジュール」サンプル提供開始400MHzの広い周波数帯域で電力付加効率43％以上を実現、基地局の低消費電力化に貢献
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- セミコンダクター・デバイス
パワーデバイス製作所 福山工場に12インチSiウエハ対応生産ラインを設置完了パワー半導体のさらなる安定供給体制を構築し、脱炭素社会の実現に貢献
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- セミコンダクター・デバイス
酸化ガリウムパワー半導体開発に向けてノベルクリスタルテクノロジー社に出資省エネ性に優れたパワー半導体の研究開発を加速し脱炭素社会の実現に貢献
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- セミコンダクター・デバイス
三菱電機「産業用フルSiCパワー半導体モジュールNXタイプ」サンプル提供開始内部インダクタンス低減とSiCチップ搭載により産業用機器の高効率化、小型・軽量化に貢献
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新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵SiC-MOSFETの適用を実現特定チップにサージ電流が集中するメカニズムを世界で初めて解明し新チップ構造で回避
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三菱電機 IR Day 2023 -
- セミコンダクター・デバイス
米国の Coherent と 8 インチ SiC 基板共同開発について基本合意書を締結高品質な 8 インチ SiC 基板を共同開発し SiC パワーモジュールの安定供給に貢献
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- セミコンダクター・デバイス
「SBD内蔵SiC MOSFETモジュール」サンプル提供開始鉄道車両・直流送電などの大型産業機器向けインバーターの高出力・高効率化に貢献
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- セミコンダクター・デバイス
「HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプ HV100」サンプル提供開始 -
- セミコンダクター・デバイス
三菱電機 SiCパワー半導体の生産体制強化に向け新工場棟を建設従来計画から倍増し、2021年度から2025年度でパワーデバイス事業へ2,600億円を投資
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- セミコンダクター・デバイス
CWDM4波長「200Gbps（112Gbaud PAM4）EMLチップ」を開発従来比2倍の高速動作実現により、データセンターの800Gbps、1.6Tbps通信が可能