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半導体・デバイス

高周波デバイス

シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FET(ディスクリート) RD01MUS1

項目名 レベル 単位
供給状態   生産中止品  
電源電圧 Typ 7.2 V
周波数   520 MHz
出力電力 (Min)   0.8 W
外形   SOT-89  
入力電力 (Typ)   30 W
ドレイン効率 (Min)   50 %
特長   -  
RoHS指令   RoHS指令(2011/65/EU、(EU) 2015/863)に準拠  

注釈

RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2011/10/18 pdf PDF 389KB 英語
Sパラメーター - 2011/10/18 txt S2P 19KB -