ニュースリリース

最新ニュース一覧ページへ戻る

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

半導体No.2402

携帯型業務用無線機向け「シリコンRF高出力MOSFET」サンプル提供開始

3.6V駆動で業界最高の出力電力6.5Wを実現し、無線機の送信距離伸長と低消費電力化に貢献
シリコンRF高出力MOSFET RD06LUS2

シリコンRF高出力MOSFET RD06LUS2

 

 三菱電機株式会社は、携帯型業務用無線機(以下、業務用無線機)の電力増幅器の終段に搭載される高周波デバイスとして、3.6Vのリチウムイオン1セルバッテリー駆動(以下、3.6V駆動)で業界最高※1出力電力6.5Wを実現した、シリコンRF※2高出力MOSFET※3「RD06LUS2」のサンプル提供を2月28日から開始します。これにより、業務用無線機の送信距離の伸長と低消費電力化に貢献します。

 

 近年、スマートフォンを中心に3.6Vバッテリーの普及が進むなか、業務用無線機市場でも従来の7.2Vバッテリーよりも安価な3.6Vバッテリーで、7.2Vバッテリー同等の高出力が可能な無線機の開発が期待されています。一方、バッテリーの低電圧化により電力増幅器の出力が低下するため、スマートフォンに比べ高い出力を必要とする業務用無線機においては、3.6Vバッテリーでも高出力を実現できるMOSFETの開発が求められています。

 

 今回、当社がサンプル提供を開始するシリコンRF高出力MOSFET「RD06LUS2」は、3.6V駆動用に最適化させた新型MOSFETチップの開発と、2個のMOSFETチップを内蔵した新パッケージにより、バッテリー電圧3.6Vにて、業界最高※1出力電力6.5Wと、業界トップクラス※1のドレイン効率※4 65%を実現しました。これにより、3.6Vの業務用無線機の送信距離の伸長と低消費電力化に貢献します。また、2個のMOSFETチップ内蔵の新パッケージにより、業務用無線機のプリント基板への実装面積の省スペース化と、組み立て時のコスト低減にも貢献します。


※1 2024年2月27日時点、当社調べ。電源電圧3.6V動作のVHF/UHF帯電力増幅器品において

※2 Radio Frequency:高周波

※3 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ

※4 増幅器に供給された電力が高周波出力に変換される時の効率で、高いほど性能が優れる

お客様からのお問い合わせ先

カテゴリーや発表年別で探す