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SD No.2505

GEベルノバとHVDCシステム向けパワー半導体分野での協力強化に向けた覚書を締結

 

 三菱電機株式会社は、経済産業省とGE Vernova, Inc.(本社:米国マサチューセッツ州ケンブリッジ、以下、GEベルノバ)が立ち上げた「日米エネルギー安全保障とサプライチェーン強化に向けたフォーカスグループ」の中の企業間連携のひとつとして、GEベルノバと高電圧直流送電システム(以下、HVDC※1システム)向けパワー半導体分野での協力強化について合意し、本日、それに向けた覚書(MOU※2)を締結しました。

 

 近年、脱炭素社会の実現に向け、風力や太陽光など再生可能エネルギーを利用した発電システムの導入が世界的に拡大しています。それに伴い、交流送電システムと比較して、発電した大容量の電力を安定的かつ効率的に長距離送電できるHVDCシステムの需要が拡大しています。

 その中でも、VSC※3型HVDCシステムは、電力網を安定化させる機能を持つため、不安定な電源である再生可能エネルギーを利用した発電システムと組み合わせても、安定的かつ効率的に大容量での長距離送電が可能なため、世界的に市場が急拡大しています。当社は、VSC型HVDCシステム向けパワー半導体において、グローバルトップシェア※4を持っていますが、高信頼性、高耐圧、大電流を有するIGBT ※5パワー半導体の先行開発を進め、生産能力の増強を図ることで、HVDCシステム向けパワー半導体分野の更なる事業拡大を目指しています。

 

 本覚書締結により、当社は、GEベルノバのVSC型HVDCシステムに対応したIGBTパワー半導体の安定的かつ継続的な供給を行います。加えて、今後、両社が有する知見と強みを融合し、技術的・戦略的な協力を強化させ、拡大する電力需要への対応に向けた送電網の進化を支援することを目指します。


  • ※1

    High Voltage Direct Current:高電圧直流送電

  • ※2

    Memorandum of Understanding

  • ※3

    Voltage Sourced Converter:自励式交流直流変換器

  • ※4

    VSC型HVDCシステム向けパワーモジュールの2023年度実績において、当社調べ

  • ※5

    Insulated Gate Bipolar Transistor:高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

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