三菱電機株式会社は、EV（電気自動車）のトラクションインバーター^※1やオンボードチャージャー^※2、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどの、パワーエレクトロニクス機器に使用可能なトレンチ^※3型SiC-MOSFET^※4チップ、4品種のサンプル提供を1月21日に開始します。これらのパワー半導体チップを新たにラインアップすることで、さまざまなパワーエレクトロニクス機器へのパワー半導体チップの組み込みニーズに対応し、低消費電力化と性能維持に貢献します。

　なお、本製品は「第40回ネプコンジャパン エレクトロニクス開発・実装展」（1月21日～23日、於：東京ビッグサイト）をはじめ、北米、欧州、中国、インド等で開催される展示会へ出展予定です。

　近年、脱炭素社会の実現に向けて、パワーエレクトロニクス機器の市場拡大が見込まれています。EVのトラクションインバーターや、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどのパワーエレクトロニクス機器は、性能や品質の向上に向けさまざまな仕様が増えており、それに伴い機器に使用されるパワー半導体を、チップとして組み込む要望が増えています。

　当社は、電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体モジュールを2010年に製品化して以来、エアコンや産業用機器、鉄道車両のインバーターシステムに採用され、家電や産業用機器、鉄道車両の低消費電力化に貢献してきました。

　今回、さまざまなパワーエレクトロニクス機器へのパワー半導体チップの組み込みニーズに対応するため、新たに、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」をラインアップします。新製品は、既存のトレンチ型SiC-MOSFETチップ^※5と同様、当社独自構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETにより、プレーナー型^※6 SiC-MOSFETと比較して電力損失を約50％低減^※7することに加え、当社独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術により、電力損失やオン抵抗などの変動を抑制し長期間使用時における品質の安定性を実現します。これらの技術を適用した仕様の異なる4品種のパワー半導体チップをラインアップすることで、EVのトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどさまざまなパワーエレクトロニクス機器などへの組み込みが可能となり、機器の低消費電力と性能維持に貢献します。