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SD No.2604

パワー半導体「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」サンプル提供開始

電力損失を最大で約19%低減、産業用機器向けインバーターの低消費電力化に貢献
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産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール

(CM1000DX-24M)

 三菱電機株式会社は、工作機械や産業用ロボット等を制御するインバーターや大容量モータードライブ装置※1などに使用されるパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用NXタイプ 1.2kV IGBT※2モジュール」10機種のサンプル提供を6月15日から順次開始します。最新の第8世代IGBTを搭載することで電力損失を最大で従来製品比約19%低減※3し、産業用機器向けインバーターなどの低消費電力化に貢献します。

 なお、本製品は「PCIM Expo & Conference 2026」(6月9日~11日、於:ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク)や、日本、中国等で開催される展示会へ出展予定です。

 

 近年、脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大しています。なかでも産業用パワー半導体モジュールは、工場の工作機械や産業用ロボットに使用されるモーター等を効率的に運転や制御をするインバーターなどに使用されています。脱炭素社会の実現に向けて、産業用機器においては、さらなる低消費電力化の重要性が高まっており、これらに使用されるパワー半導体モジュールにおいても、より高効率・高出力な製品が求められています。

 

 当社のパワー半導体モジュールは、1990年にIGBTを搭載して以降、優れた性能と高い信頼性が評価され、民生分野、自動車分野、産業分野、電力分野、鉄道分野など、さまざまな用途で採用されています。特に製品の性能に大きく貢献するIGBTについては、低電力損失化・高信頼性を目指して開発を続け、最新世代として、独自のSDA構造※4やCPL構造※5を採用した第8世代のIGBTを開発しました。

 今回、サンプル提供を開始する「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」は、最新の第8世代IGBTを搭載しインバーターの低消費電力化に貢献します。また、IGBTとダイオードのチップ配置の最適化により、従来製品と同一のパッケージで、従来製品比1.25倍※6の定格電流1000A品を新たにラインアップし、インバーターの高出力化に貢献します。この他、産業用NXタイプのパッケージを継続採用することで、従来製品との入れ替えが容易となり、インバーターの開発期間の短縮にも貢献します。

 当社は、今後も拡大が見込まれるパワー半導体の需要に対して、市場ニーズに合わせた製品を迅速かつ安定的に供給することで、各分野のパワーエレクトロニクス機器の省エネ化を加速させ、GX(Green Transformation)に貢献していきます。


  • ※1

    工場の工作機械やクレーン等に使用されるモーターの回転数や電力供給能力などを効率的に制御する役割を担うインバーター・コンバーター回路で構成されたインバーター装置

  • ※2

    Insulated Gate Bipolar Transistor:高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

  • ※3

    従来製品CM800DX-24T1(第7世代IGBT搭載)との比較。2level, Vcc = 600 V, Io = 350 Arms, M=1, PF=1, Fc=2kHz, fo=50Hz条件での当社シミュレーション結果を基に算出

  • ※4

    Split Dummy Active:ゲートのダミートレンチを上下2段に分割することでゲート容量を最適化した構造

  • ※5

    Controlling carrier Plasma Layer:チップの裏面に深いn層を形成することでダイナミック動作時のキャ リア制御を行う構造

  • ※6

    従来製品CM800DX-24T1との比較

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