ニュースリリース
掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。
最新パワー半導体モジュールの採用検討期間を短縮するデータの提供開始
インバーターシステムへのパワー半導体の採用フローと当社が提供するサービス内容
三菱電機株式会社は、太陽光などの再生可能エネルギー発電用電力変換システム(Power Conversion System、以下、PCS)などに採用される、最新の第8世代IGBT※1を搭載した当社製パワー半導体「IGBTモジュール」に関して、当社が設計したPCS用インバーター試作機に搭載した際の、設計データや検証データを、無償で提供するサービスを6月25日に開始します。
本サービスは、台湾の財団法人工業技術研究院(台湾、Industrial Technology Research Institute、以下、ITRI)との技術提携※2を通じて得られたインバーター試験結果を含む、3レベルインバーター方式※3の設計データや検証データなどを提供します。主に大容量PCSに採用される当社製パワー半導体「産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール」と、中容量から大容量まで幅広いPCSに採用される「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」を用いた、再生可能エネルギー発電用インバーター開発において、試作機の部品選定から設計・製作・検証までのユーザーの業務負荷を軽減し、開発期間の短縮に貢献します。
近年、再生可能エネルギーを利用した発電システムの世界的導入拡大に伴い、発電した電力を使用するために直流と交流の電力変換を行うPCSの需要が拡大しています。特にメガソーラーなどの大規模発電施設で使用されるメガワット級の高電圧・大容量PCSにおいては、高効率化と小型化を両立する3レベルインバーター方式の採用が進む一方、システム設計が複雑化しています。そのため、PCSにおけるパワー半導体の採用にあたっては、性能を引き出すための放熱設計、異常時の保護設計、高密度実装を実現するレイアウト設計、実機レベルでの複雑な検証などに時間を要することが課題となっています。
当社は今回、最新の第8世代IGBTを搭載した当社製パワー半導体「IGBTモジュール」において、「産業用LV100タイプ」と「NXタイプ」を搭載したインバーター試作機に関するデータ提供を開始します。外形・部品レイアウトや電気配線などの設計データ、中大容量インバーターシステム開発で技術課題となりやすいパワー半導体モジュールなどの熱、短絡保護などの実機評価による検証データの提供を通じて、ユーザーの試作機の部品選定から設計・製作・検証までの業務負荷を軽減することで、インバーターシステムの開発期間の短縮に貢献します。
- ※1
Insulated Gate Bipolar Transistor:高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
- ※2
2025年10月15日広報発表https://www.MitsubishiElectric.co.jp/ja/pr/2025/pdf/1015.pdf
- ※3
中間電位の生成により出力電圧を3段階で制御するインバーター方式で、装置の高効率化と小型化に優位
お客様からのお問い合わせ先
- 三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 事業戦略部
- 〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- https://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/powerdevices/contact/