
三菱電機株式会社は、欧州現地法人であるMitsubishi Electric R&D Centre Europe(三菱電機欧州R&Dセンター)を通じて、EUの研究・イノベーションプログラム「Horizon Europe」の中で、革新的なパワー半導体モジュールおよびその状態監視技術の開発や、これらによる再生可能エネルギーを用いた発電システムのコスト効率化の検討を行うプロジェクト「FLAGCHIP※1」に参画し、このたび、パワー半導体モジュール内部の半導体チップの温度を推定する技術の実証に向けた試験機の製作を開始します。
カーボンニュートラルの実現に向けて再生可能エネルギーの導入拡大が求められる中、電力変換を担うパワーエレクトロニクス機器の信頼性、保守性の向上が課題となっています。これに対し、パワーエレクトロニクス機器の基幹部品であるパワー半導体モジュールは、技術革新による信頼性の向上や、劣化状況の把握のための稼働状態のデータ取得・解析技術に加えて、その結果に基づく適切なタイミングでのメンテナンスによる保守性の向上が期待されています。
「FLAGCHIP」は、欧州の9カ国から企業や学術機関など11のパートナー※2が参画し、革新的なパワー半導体モジュールやその状態監視技術の開発、および再生可能エネルギーを用いた発電システム全体の初期投資とメンテナンスを考慮したコスト効率の計算と、コスト削減に向けた検討を行うプロジェクトです。本プロジェクトでは、ノルウェーおよびフランスのパートナー企業2社が保有する風力発電システムおよび太陽光発電システムを対象とした試験設備での実証試験を行います。
当社は、状態監視技術の実用化に向けた開発のうち、劣化状況の推定に必要な、パワー半導体モジュール内部の半導体チップ(SiC-MOSFET※3)の温度を正確に推定する技術の実証を担当します。フランスの風力発電システム向けDC/DCコンバーター※4の試験設備で、当社が新たに製作した試験機を用いて2026年10月から実証試験を行う予定です。
当社は、本プロジェクトへの参画を通じて得られる成果を活用することで、カーボンニュートラルの実現に貢献していきます。
- ※1
Flagship advanced solutions for Condition and Health monitoring In Power electronicsの略称
プロジェクトのウェブサイト https://flagchip-project.eu/ - ※2
2025年1月30日時点
- ※3
Silicon Carbide:炭化ケイ素
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ - ※4
Direct Current:直流。直流電圧を所望の直流電圧に変換する装置
お客様からのお問い合わせ先
- Mitsubishi Electric R&D Centre Europe
- TEL: +33 2 23 45 58 58
- E-mail:info@fr.merce.mee.com