電子デバイス

印刷用ページへ

1200V大型DIPIPM™※1 Ver.6

画像:1200V大型DIPIPM™※1 Ver.6

パワー半導体モジュール「1200V大型DIPIPM™ Ver.6」シリーズの製品ラインアップを拡大し、40kW級のパッケージエアコンにも対応が可能。パッケージエアコンなどのインバーターの低消費電力化、小型・軽量化に貢献します。

  • ※1保護機能付き制御素子を内蔵したインテリジェントパワー半導体モジュール

HVIGBT※1モジュール Xシリーズ LV100タイプ

画像:HVIGBT※1モジュール Xシリーズ LV100タイプ

第7世代IGBT・RFCダイオードを搭載した電鉄・電力などの大型産業機器向け大容量パワー半導体モジュール。業界最大※2の電流密度によるインバーターの高出力・高効率化、新パッケージ構造による多様なインバーター構成とシステムの高信頼性に貢献します。

  • ※1High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor
  • ※22017年5月11日時点、当社調べ

衛星通信地球局用Ka帯※1GaN※2 HEMT※3 MMIC※4

画像:衛星通信地球局用Ka帯※1GaN※2 HEMT※3 MMIC※4

災害時の通信の確保や地上通信網の整備が地理的に難しい地域での高速通信手段である衛星通信に最適な高周波デバイス。Ka帯として業界トップレベル※5の出力電力8Wと低ひずみ特性を実現し、衛星通信地球局の小型化に貢献。

  • ※1周波数26GHz~40GHzのマイクロ波
  • ※2Gallium Nitride:窒化ガリウム
  • ※3High Electron Mobility Transistor
  • ※4Monolithic Microwave Integrated Circuit
  • ※52017年10月4日時点、当社調べ。衛星通信地球局用Ka帯GaN HEMT MMIC製品において

400Gbps※1 小型集積EML※2 TOSA※3

画像:400Gbps※1 小型集積EML※2 TOSA※3

伝送速度400Gbpsの大容量高速光ファイバー通信で使用され、IEEE 400GBASE-LR8規格※4に業界で初めて※5短波長用と長波長用の2個のTOSAで適合した光通信用デバイス。データセンターなどの光ファイバー通信の高速化・大容量化に貢献します。

  • ※1Giga-bits per seconds
  • ※2Electro-absorption Modulated Laser diode:変調器集積半導体レーザー
  • ※3Transmitter Optical Sub Assembly:送信用小型光デバイス
  • ※4米国電気電子技術者協会が定める伝送速度400Gbps、伝送距離10km、8波長のイーサネット標準規格
  • ※52018年3月7日時点、当社調べ

タッチパネル搭載 産業用TFT液晶モジュール(19.0型SXGA・8.0型WVGA・12.1型XGA/WXGA)

画像:タッチパネル搭載 産業用TFT液晶モジュール(19.0型SXGA・8.0型WVGA・12.1型XGA/WXGA)

厚さ5mmの保護ガラス上からの操作や最大10点までのマルチタッチ操作を実現。厚みのある耐熱手袋をはめた状態や水滴が付着した状態での操作などを可能にした投影型静電容量方式のタッチパネルです。耐衝撃性や耐水滴性が求められる屋外用途向けに最適です。

半透過型 産業用TFT液晶モジュール(8.4型VGA・10.4型XGA)

画像:半透過型 産業用TFT液晶モジュール(8.4型VGA・10.4型XGA)

明るい屋外では外光を光源(反射モード)、暗い場所ではバックライトを光源(透過モード)にするため、直射日光下でも視認性が高く、外光を利用することで消費電力を低減化。広い動作温度範囲を実現し、直射日光下で使用する屋外用産業機器の表示装置に最適です。


このページを共有

三菱電機について
カテゴリ内情報