主要な事業内容
パワー半導体デバイス
家電、モーションコントロール、再生可能エネルギー、電源、電力、鉄道、自動車などのパワーエレクトロニクス機器の省エネに貢献するパワーモジュール。DIPIPM、IGBTモジュール、IPMなどの多種多様な製品ラインアップで、地球環境におけるイノベーションに貢献して参ります。
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SiC※パワー半導体デバイス
Siと比べ飛躍的な電力損失の低減や高速スイッチング動作、高温度動作などが可能となるSiCパワーデバイスは、家電、産業機器、鉄道、自動車などのあらゆるパワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化を実現し、脱炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献してまいります。※SiC：Silicon Carbide（炭化ケイ素）、シリコンと炭素を1:1で結合した化合物
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HVIC※
パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、マイコンなどの入力信号により、直接ゲートを駆動する高耐圧ICです。電源電圧低下保護、エラー出力機能などの各種保護機能を内蔵することで機器の信頼性向上が可能です。※HVIC：High Voltage IC
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光ファイバー通信用光デバイス
第5世代移動通信システム（5G）基地局や、クラウド化を支える大規模データセンター等の各種光ファイバー通信機器に最適な製品ラインアップで、高速・大容量化、長距離伝送化や機器の小型化に貢献します。
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GaN※高周波デバイス
Siに比べて高効率・高出力・広帯域が期待できるGaNをトランジスタに用いたGaN高周波デバイスは、第5世代移動通信システム（5G）基地局ネットワークや衛星通信システム（SATCOM）地球局などの通信速度の高速化、情報伝送量の大容量化、電力増幅器の小型化に貢献します。※GaN：Gallium Nitride（窒化ガリウム）
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サーマルダイオード赤外線センサ MelDIR※（メルダー）
高画素化、高温度分解能化などの高度な温度検出により、人か物かの識別や人の行動把握が可能なサーマルダイオード赤外線センサ。防犯機器や空調機器、温度測定器、見守り機器、人数カウントソリューション、スマートビル等の幅広い分野に適用可能です。※MelDIR：Mitsubishi Electric Diode InfraRed sensor、三菱電機の登録商標